世界半导体技术的发展大趋势

2012.06.04 来源: 上海市柏芯电子技术有限公司

世界半导体技术的发展大趋势

  IBM半导体研发中心技术开发副总裁PercyGilbert在“世界半导体东京峰会2012”发表了演讲,他说,半导体技术的进步为社会带来了互联网的普及等变革,今后还要继续推进该技术的发展。不过,除了传统技术之外,器件、制造及材料的技术革新变得不可或缺。同时,业务模式也要革新,IBM作为研发型半导体公司称“合作”尤其重要,IBM的“共生系统”战略不仅要联手半导体厂商,还要与设备厂商、装置及材料厂商合作,由此来分担研发投资。

  台积电代表也在会上表示,逻辑电路尖端工艺的发展将继续受到市场欢迎。公司现行28nm工艺,计划2012年下半年将使20nm工艺量产化,2014年则将推进到14nm工艺量产化。同时,对“更摩尔”(MoreMoore)微细化以外追求差异化的“超摩尔”(MorethanMoore)的量产器件,也将推进微细化以降低成本。

  SIA(美国半导体工业协会)于去年底在韩国首次公布了《2011ITRS》(2011年国际半导体技术发展路线图),对半导体设计和制造技术到2026年的发展作了预测。SIA总裁BrianToohey说,路线图的宗旨之一是遵循摩尔定律的发展速度,不断缩小工艺尺寸、提高性能以满足消费者的需求。ITRS特别指出,DRAM将加速发展以因应高端服务器、台式游戏机复杂图形的进步。广泛用于数码相机、平板电脑和手机的Flash闪存近几年内也将快速发展,2016年将出现3D架构产品。此外,也详细介绍了连接器、开关、有关器件、材料以及射频和模拟混合信号技术的未来革新。